OFweek半导体照明网讯 凭借安全、环保、小巧、高效、低耗等性能优势，波长在240－280纳米之间的深紫外LED正在加速拓展紫外线在民用和工业领域的应用，并将逐步替代传统汞灯。
作为传统汞加工制造和汞污染大国，中国政府已于2016年正式批准加入联合国环境大会，将于2020年起逐步全面禁止汞添加产品的制造和进出口，这意味着在可预见的未来，利用紫外LED作为汞灯替代品的技术研发和应用将迎来爆发式增长。
关于深紫外LED
紫外线，作为电磁波的一种，波长小于可见光，范围在10－400纳米（nm）之间，包括：UV－V（波长10－200纳米）、UV－C（波长200－280纳米）、UV－B（波长280－315纳米）、UV－A（320－400纳米），其中波长小于320纳米的紫外线，又被称作“深紫外线”。
在LED领域，现在开发的主要是释放UV－C。深紫外光是指波长100纳米到280纳米之间的光波，半导体深紫外光源在照明、杀菌、医疗、印刷、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大应用价值。
与常见的用于照明的LED相比，深紫外LED在材料、工艺和应用方面有明显区别，是目前所知的最适合民用的固态紫外光，其中UVC LED能发散出具有杀菌作用的C波段光线。深紫外LED除菌净化功能已日渐被广泛应用在医疗和健康领域，作为新一代紫外杀菌技术，具有无汞、安全环保和广泛的环境适应性等特点，属于物理广谱杀菌，无化学残留特性。
发展前景
近年来，深紫外LED应用领域因广阔的市场前景和巨大的附加值逐渐被认为是半导体及医疗卫生健康领域新的增长点。
UV－C LED产品技术门槛相当高，不论在磊晶、晶片技术、封装与市场接受程度等都面临诸多挑战，但研究报告显示，以高科技创新为特色的深紫外LED应用广泛，将成为全球LED研究与投资的新热点。据估计，2016年UVC LED杀菌与净化应用的市场产值达2，800万美元，2021年将达2．57亿美元，年复合成长率高达56％。
市场布局
上游制备工艺和生产设备的尖端性、下游应用技术的复杂性以及成本原因，使得深紫外LED国内外应用一度进展缓慢。
