MOS管主要参数如下：
1.开启电压VT
·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；
·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2. 直流输入电阻RGS
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
3. 漏源击穿电压BVDS
·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
·ID剧增的原因有下列两个方面：
（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿
（2）漏源极间的穿通击穿
·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID
4. 栅源击穿电压BVGS
·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
5. 低频跨导gm
·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
·一般在十分之几至几mA/V的范围内
6. 导通电阻RON
·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间
·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内
7. 极间电容
·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
·CGS和CGD约为1～3pF
·CDS约在0.1～1pF之间
8. 低频噪声系数NF
·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的
·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化
·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）
·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小
哪位大神指导如何估算MOS管的驱动电流？
一、MOS管封装
不同的封装尺寸MOS管具有不同的热阻和耗散功率，需要考虑系统的散热条件和环境温度(如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素)，基本原则就是：在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。
常见的MOS管封装有：
①插入式封装：TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92②表面贴装式：TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3不同的封装形式，MOS管对应的极限电流、电压和散热效果都会不一样，简单介绍如下。
1、TO-3P/247
TO247是比较常用的小外形封装，表面贴封装型之一，247是封装标准的序号。
TO-247封装与TO-3P封装都是3引脚输出的，里面的裸芯片(即电路图)是可以完全一样的，所以功能及性能基本一样，最多是散热及稳定性稍有影响TO247一般为非绝缘封装,TO-247的管子一般用在大功率的POWER中,用作开关管的话，它的耐压和电流会比较大一点是中高压、大电流MOS管常用的封装形式，产品具有耐压高、抗击穿能力强等特点，适于中压大电流(电流10A以上、耐压值在100V以下)在120A以上、耐压值200V以上的场所中使用。
2、TO-220/220F
这两种封装样式的MOS管外观差不多，可以互换使用，不过TO-220背部有散热片，其散热效果比TO-220F要好些，价格相对也要贵些。这两个封装产品适于中压大电流120A以下、高压大电流20A以下的场合应用。
3、TO-251
该封装产品主要是为了降低成本和缩小产品体积，主要应用于中压大电流60A以下、高压7N以下环境中。
4、TO-92
该封装只有低压MOS管(电流10A以下、耐压值60V以下)和高压1N60/65在采用，主要是为了降低成本。
5、TO-263
是TO-220的一个变种，主要是为了提高生产效率和散热而设计，支持极高的电流和电压，在150A以下、30V以上的中压大电流MOS管中较为多见。
6、TO-252
是目前主流封装之一，适用于高压在7N以下、中压在70A以下环境中。
STD2NK100Z 的参数
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 1.85 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 16 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 70 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: SuperMESH
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.4 mm
长度: 6.6 mm
系列: STD2NK100Z
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
宽度: 6.2 mm
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: 2.4 S
下降时间: 32.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6.5 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 41.5 ns
典型接通延迟时间: 7.2 ns
单位重量: 4 g
大家了解电子元器件的检测查询标准吗？
没法估算.
因为行业标准,就是用电流元,充电Qg电量后,MOS导通.
但人们用的是电压元.
所以Qg并没有意义.
你需要注意的是,电流不要超过driver的驱动能力.
那么剩下的,就是用示波器,才找到合适的参数.
需要指出的是,driver的输出电流,不是电流元.
是相当于一个电压元串联一个可变电阻.
电流越大,输出电压就越小.
所以不要超过driver的驱动能力,在降低1V的情况下.
要么加大G的串联电阻,要末用大电流的driver.
你肯定会选择电阻的.
驱动根本没有必要太快,事实上,肯定是不快不慢为好.
我们国家的标准，根据不同器件有对应不同的标准：分立器件是GJB128A-1997电子元件是GJB360A-1996集成电路对应的是GJB548B-2005；混合集成电路对应的是GJB2438A-2002.
以上就是关于MOS管的参数怎么读懂全部的内容，如果了解更多相关内容，可以关注我们，你们的支持是我们更新的动力！
